2000年　旧 日立電線ニュースリリース

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化合物半導体工場をさらに拡張し、増産へ
-化合物半導体基板を月産3万枚、エピタキシャルウエハを月産1万6千枚へ-

　このたび当社は、化合物半導体への旺盛な需要に対応するため、茨城県日立市にある当社高砂工場敷地内の化合物半導体工場(第2工場)を拡張し、製造設備能力の増強を図ることにいたしました。

　当社のガリウムひ素系を中心とした化合物半導体事業は、これまで順調に拡大しており、平成10年度には売上高が初めて100億円を突破したのに続き、本年度の売上高は125億円となる見込みです。
　これは、LED*1 やLD*2 向けなどのオプトデバイス用ウエハの需要が好調なうえに、携帯電話やPHS等の移動体通信機器に使用される高周波デバイス用の半導体基板およびエピタキシャルウエハの需要が急速に拡大してきたことによるものです。

　こうした需要の伸びに伴い、当社では、高砂工場内に化合物半導体の新工場(第2工場)を建設し、昨年8月から本格稼働させるなど随時生産設備を増強して参りました。しかしながら、その後の需要の伸びは、当初の予測を大幅に上回るものとなっております。これは、当社がLEC法(引上法)*3 による6インチ径の大型半導体基板や、MO-VPE法*4 を用いた高出力パワーアンプトランジスタ用のエピタキシャルウエハの開発にいち早く成功し、これらの製品の供給能力・品質についてお客様から大きな評価を得たことによるものです。
　そこで今回、新たに設備投資を行い、この第2工場の更なる増設(平成12年11月本格生産開始予定)と製造設備の増強を実施することに踏み切ったものです。

　LEC法の半導体基板は、現在主流となっている4インチ径の基板から、さらに大型の基板へと市場のニーズが移りつつあり、当社ではこれに対応するべく、一昨年12月に日本で初めてLEC法によるガリウムひ素単結晶の成長、切り出し、最終研磨を一貫して行う6インチ基板専用一貫量産ラインを完成させるなど、米国向け輸出を中心に本格的な量産体制を整えてきました。そして今回の建家増設、設備増強を実施した後の本年末には、4インチおよび6インチ径の生産能力は月産2万枚から月産3万枚(このうち6インチ径は30％)となる予定です。また、技術的な面では、6インチ径で世界最長の350mm長さの単結晶成長に成功し、さらに、世界最高水準の基板表面加工精度を実現する独自技術の開発に成功するなど、世界市場をリードする品質の維持に注力しています。
　一方、MO-VPE法エピタキシャルウエハについても、現在月産8,000枚(4インチ換算)の装置能力を、今後の需要の伸びに対応するため、今回の設備投資により本年中には倍増の16,000枚(4インチ換算)とする予定です。さらに新製品開発にも積極的に取り組み、高周波デバイス用途ではMES-FET*5 、P-HEMT*6 、DH-HEMT*7 に加え、次世代のキーデバイスと考えられておりますHBT*8 も開発し、量産と品種の拡大を続けていく予定です。

　このように当社は、ガリウムひ素系化合物半導体における世界のトップメーカーとして、常に積極的な事業展開を進めてきました。その結果、ますます市場の信頼を勝ち得るに至っております。今後とも市場動向を見つつ、特性面でも生産量の面でも、より一層顧客ニーズに対応できる製造設備及び生産能力の強化に努めていく予定です。なお、当社の化合物半導体事業全体の年間売上高は、1〜2年後には、200〜250億円程度に到達するものと予想しております。

第2工場の概要

所在地 茨城県日立市砂沢町880番地　当社高砂工場内
総面積 現況床面積7,200m2(40m×60m、3階建て)
増築部床面積8,000m2(40m×50m、4階建て)

投資額

第2工場の建家増築に関わる投資額 約22億円
平成12年度の化合物半導体関連の製造設備への投資予定額 約50億円

語句説明

*1LED Light Emitting Diode
*2LD Laser Diode
*3LEC Liquid Encapsulated Czochralski
*4MO-VPE Metal Organic Vapor Phase Epitaxial Growth有機金属気相成長法
GaAsウエハ等の基板にPH3(ホスフィン)、AsH3(アルシン)等の気体を直接反応させてGaAs等のエピタキシャル成長をさせる方法。
*5MES-FET Metal Semiconductor Field Effect Transistor
半絶縁性基板上のn型半導体層上にショットキー電極を形成した簡単な構造のトランジ スタ。
*6P-HEMT Pseudmorphic High Electron Mobility Transistor
*7DH-HEMT Double Hetero Junction High Electron Mobility Transistor
　薄膜組成の異なる層を接合したトランジスタで、通常のHEMTより高効率になる。
*8 HBT Hetero Junction Bipolar Transistorヘテロ接合バイポーラトランジスタ
電流利得が高く、ベース抵抗が小さいため、高能率で超高速であるという特性が得られ るトランジスタ。