茨城県日立市にある当社高砂工場敷地内において、かねてから建設を進めておりました化合物半導体の新工場(第2工場)が今般完成し、本格的に稼働を開始いたしました。

　当社のGaAs系を中心とした化合物半導体事業は、順調に拡大しており、昨年度の売上高は、初めて100億円を突破しました。これは、発光ダイオード(LED)*1 やレーザーダイオード(LD)*2 などの光デバイス用のボート基板(HB)*3 やLPE法*4 エピタキシャルウエハ(以下エピウエハ)が着実に伸びてきたこと、さらに、携帯電話に代表される移動体通信機器に使用される電子デバイス用の引上げ基板(LEC)*5 やMO-VPE法*6 エピウエハが、最近急速に増大してきたこと等によるものです。

　こうした需要の伸びに伴い、当社では、随時生産設備等を増強してきました。その結果、第1工場が手狭となっており、今後の事業の拡大を図るため、昨年2月、第2工場の建設に踏み切ったものです。本工場は今春竣工し、その後、各種設備を逐次設置し、8月より本格稼働を開始しました。

　当社は、携帯電話用高周波デバイス需要の伸びに対応して、昨年4月にはMO-VPE法ガリウムひ素(GaAs)エピタキシャルウエハの装置能力を大幅に増強し、生産能力を従来の2倍強の月8,000枚(4インチ換算)としました。
　また、基板のサイズについては、現在主流の4インチから、5インチ、6インチへと、サイズアップする方向で顧客からの要求が急増しています。このような状況のもと当社は、昨年12月に、日本で初めてLEC法による単結晶の成長、切り出し、最終研磨までの、6インチ基板専用一貫量産ラインを完成させ、現在は米国向け輸出を中心に本格的な量産体制に入っています。
　さらに、本年度からは、光デバイス用のエピウエハの製法についても、従来のLPE法に加えて、MO-VPE法による4元LEDエピウエハや3元LDエピウエハの量産も開始するなど、当社は、ガリウムひ素系化合物半導体のトップメーカーとして、常に積極的な事業展開を進めてきました。

　今後は、第2工場の完成によって確保された建屋設備を活かして、市場動向を見つつ、特性面でも生産量の面でも、より一層顧客ニーズに対応できる生産設備の増強に努めていく予定です。具体的には、需要拡大が確実視されている移動体通信機器に使われる高周波デバイス(MES-FET*7 、P-HEMT*8 、DH-HEMT*9 、HBT*10 など)用に品種を拡大することはもちろん、自動車衝突防止センサーやオフィス内ワイヤレスLAN向けのミリ波デバイスといった、新しい市場向けのエピウエハの開発も進めていくほか、光デバイス用エピウエハのさらなる品種展開にも注力して参ります。
　この結果、1〜2年後には、当社の化合物半導体事業全体の年間売上高は、150億円程度に到達するものと予想しております。

以上

第2工場の概要

所在地	茨城県日立市砂沢町880番地　当社高砂工場内
総面積	7,200m2(40m×60m、3階建て)
設備投資額	23億円

語句説明

*1	LED＝Light Emitting Diode
*2	LD=Laser Diode
*3	HB=Horizontal Bridgman
*4	LPE=Liquid Phase Epitaxial Growth 液相エピタキシャル成長 GaAsウエハ等の基板にGa、As、Al等の液体金属を溶媒としてGaAs、GaAlAs等を溶解し、基板上に析出成長させる方法。
*5	LEC=Liquid Encapsulated Czochralski
*6	MO-VPE＝Metal Organic Vapor Phase Epitaxial Growth有機金属化学気相成長法 GaAsウエハ等の基板にPH3、AsH3等の気体を直接反応させてGaAs等のエピタキシャル成長をさせる方法。
*7	MES-FET＝Metal Semiconductor Field Effect Transistor 半絶縁性基板上のn型半導体層上にショットキー電極を形成した簡単な構造のトランジスタ。
*8	P-HEMT＝Pseudmorphic High Electron Mobility Transistor 歪緩和型薄膜エピタキシャル構造のトランジスタで、通常のHEMTより超低雑音特性に優れている。
*9	DH-HEMT=Double Hetero Junction High Electron Mobility Transistor 薄膜組成の異なる層を接合したトランジスタで、通常のHEMTより高効率になる。
*10	HBT=Hetero Junction Bipolar Transistor ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 電流利得が高く、ベース抵抗が小さいため、高能率で超高速であるという特性が得られるトランジスタ。